据悉，这种232层的3D NAND闪存采用3D TLC架构，原始容量为1Tb（128GB）；芯片基于美光的CuA架构，并使用NAND的字符串堆叠技术。

　　CuA架构的设计，配合232层的高堆叠，有效减少了1Tb 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸，有望降低产品的生产成本，提升竞争力。

　　美光目前并未宣布232层3D TLC NAND IC的I/O速度或平面数量，但从透露的信息来看，新的内存应该会提供更高的性能，这对采用PCIe 5.0接口的下一代SSD来说，无疑是一个好消息。

　　在具体的产品层面上，美光的技术和产品执行副总裁Scott DeBoer称，公司目前已经与第三方NAND控制器开发者达成合作，从而实现对新型内存的支持。

　　此外，美光表示，预计将在2022年底开始生产232层3D TLC NAND闪存，按此计划，采用这种新技术的SSD应该会在明年与用户见面。

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